窒素ドープしたグラファイト表面上での酸素分子線散乱挙動

抄録

グラファイト（HOPG）に窒素イオン衝撃を施すことで窒素ドープグラファイトを調製し、超音速分子線装置を用いて酸素分子の吸着散乱過程を観察した。この結果、酸素は並進運動エネルギーが約500 meV以上になると表面温度300 Kの窒素ドープグラファイトに一時的な吸着を伴う散乱過程を示すことが示唆された。これは窒素ドープグラファイトへの酸素吸着が活性化障壁を伴う過程であることを示唆している。