放射光励起光電子分光によるBi2Te3単結晶電子状態の研究

小川 浩二; 佐々木 実; 大西 彰正; 北浦 守; Kim Heon-Jung; 東 純平; 高橋 和敏; 鎌田 雅夫

doi:10.14886/sssj2008.31.0.27.0

第31回表面科学学術講演会

セッションID: 15P-10

DOI https://doi.org/10.14886/sssj2008.31.0.27.0

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主催: 公益社団法人日本表面科学会

12月15日（木）

放射光励起光電子分光によるBi2Te3単結晶電子状態の研究

*小川浩二, 佐々木実, 大西彰正, 北浦守, Kim Heon-Jung, 東純平, 高橋和敏, 鎌田雅夫

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抄録

近年トポロジカル絶縁体として注目されるBi₂Te₃単結晶のn・p型試料について電子状態を放射光励起角度分解光電子分光法により決定した．入射光エネルギーhvを光電子の脱出深さが浅くなる50～70 eVとし，10 Kまで冷却した真空劈開面において表面及びバルク状態を明瞭に測定した．またz分散を求めた所，表面状態だけでなくバルク状態も理論計算に反しほとんど分散を示さなかった．

責任著者(Corresponding author)

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