ナノグラフェン構造の形成と電子状態評価

抄録

グラフェンをナノサイズに切り出した構造であるナノグラフェンは、その構造の端の存在によって、特異な電子状態を示すと理論予測されている。しかし、その詳細は未だ明らかになっているとはいえない。本講演では、HOPG表面をエッチングすることで多層のリボン状ナノグラフェンを作製し、その電子状態をSTM/STSを用いて測定することにより、端の形状、リボンの幅と電子状態の相関関係の解明を試みた結果について報告する。