微傾斜SiC(0001)面上に成長したグラフェンナノリボンのバンドギャップ形成

抄録

SiC(0001)微傾斜基板の水素処理によって得られた周期構造をテンプレートに用いてMBE成長で作製したグラフェンナノリボン(GNR)について、π電子状態を角度分解光電子分光を用いて調べた結果を報告する。10nm幅のGNRでは、少なくとも0.14eVのバンドギャップが形成されることがわかった。講演では10nm幅と5nm幅のGNRの電子状態を比較し、バンドギャップの起源を議論する。