低温銅表面に物理吸着した水素の吸着等温線と平均滞在時間の測定

抄録

極高真空における主な残留ガスである水素の低温面への吸着現象は未だ十分に理解されていない. 本研究では電子励起脱離法と飛行時間測定法を用いて水素の吸着密度を測定し, 吸着等温線および平均滞在時間を得ることを目的とした. 吸着等温線では, 先行研究と同様な二次元凝縮や, 単分子層形成時の圧力が温度に依らない異常温度依存性が確認できた. 平均滞在時間は, 水素吸着密度に強く依存することがわかった.