シリコン酸化物極薄膜膜厚測定のための低エネルギー領域におけるパラメータRoの測定

抄録

シリコン酸化物薄膜について光電子分光法による膜厚測定は他の手法では難しい1nm程度の極薄膜にも用いることがでいるが、そのためにはシリコン酸化物中での光電子の減衰長についての知見が必要となる。本講演においてはその減衰長を求めるために重要なパラメータとなるRoについて低エネルギー領域において角度依存性を測定したことを報告する。