青色エレクトロルミネッセント用蛍光体SrGa_2S_4 : Ce薄膜の低温プロセスで作製することを目的とし、多元蒸着法を用いて薄膜作製を試みた。III族及びV族用蒸発源材料であるGa_2S_3は蒸発の際にGaSとS_2として分解し、基板上ではSr, GaS及びS_2との反応によってSrGa_2S_4,SrS及びGaSが形成され、それらの相の割合は基板温度や原料供給比に依存することがわかった。基板温度450℃、原料供給比Ga_2S_3/Sr=300として、堆積後600℃で3時間の熱処理を施すことによって薄膜は、SrGa_2S_4 : Ceを作製でき445nm及び490nmにピークを持つのPLスペクトルが得られた。
