テレビジョン学会技術報告
Online ISSN : 2433-0914
Print ISSN : 0386-4227
20 巻 , 8 号
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  • 原稿種別: 表紙
    1996 年 20 巻 8 号 p. Cover1-
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
  • 原稿種別: 目次
    1996 年 20 巻 8 号 p. Toc1-
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
  • 中西 壽夫
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 1-6
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    CRTの管内放電や不要発光等の不良原因となる不要電子放射源の特定は、困難である。電子銃の構造が複雑なため、電子銃とネック管の空隙の電界を精確に求めることが困難であることも一因となっている。ハイブリッド型無限要素を用いた有限要素法により、2次元モデルを用いて、ネック管とピードガラスの表面の電位分布を計算し、不要電子放射源について考察した。
  • 中尾 哲久, 田中 肇, 高橋 芳典, 中澤 知子, 久保 孝子, 小柳津 剛
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 7-12
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    2種類のカラーフィルター(内面フィルターと外面フィルター)を備えた高画質カラープラウン管スーパープライトロン_<TM>を世界で初めて開発し、量産化した。内面フィルターは、相対する蛍光体とフェースガラスとの間に挿入された青、緑、赤の光学フィルターで、また外面フィルターはフェースガラスの外側に形成した、選択吸収フィルターである。両者ともに蛍光体の発光エネルギーを余り損なうことなく、外光を効率的に吸収し、同時に蛍光体の不要発光波長を選択的に吸収することで、コントラストと色再現域を飛躍的に向上させる。フィルターなし従来管と外面フィルター管に比べ、各々コントラストが74%、36%の向上、色再現域が12%、7%の拡大となった。
  • 木宮 淳一, 長谷川 隆弘, 曽根田 耕一, 菅原 繁
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 13-18
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    CDT(Color Display Tube)の省電力化対応に伴うミニネック化(22.5mmネック化)に際し、その中に入る電子銃のレンズ口径も機械的に縮小せざるを得ずフォーカス劣化は免れない。この問題点を解決するために, 小型抵抗体を用いた簡易ダイナミック補償を行うミニネック用DAQ(Dynamicalty Activated Quadrupole Lens)電子銃を採用することで, 電子レンズ口径の大きい従来電子銃を上回るフォーカス性能を可能とした。また偏向ヨークにおいても、主磁界、垂直コマ収差補正磁界の最適化及び漏洩磁界等の補償素子削減による省資源化と小電力化を実現した。またミニネック化に伴うランディング地磁気余裕度の劣化対策として、新規設計のインナーシールドを導入した。
  • 助野 雅彦, 上田 康之, 鈴木 弘
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 19-24
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    ディスプレイ管用CRTの広偏向角化に伴うフォーカス性能の低下を改善する新しい電子銃を開発した。本電子銃では、DQ-DAF電子銃を改良し、周辺スポット形状歪みを改善する四極レンズに新設計の衡立型を採用してレンズ作用を強めたほか、フォーカス電圧比24%化、G1電極孔形状の角孔化により設計の最適化を行った。その結果、偏向角拡大による中央スポットと周辺スポットの均一性低下の問題を解決し、100度偏向においても現行90度偏向と遜色のないフォーカス性能を達成した。この電子銃によって、大型ディスプレイ管の広偏向角化による奥行き短縮と高解像度が期待できる。
  • 西野 達雄, 片山 雅夫, 大観 光徳, 田中 省作, 小林 洋志
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 25-30
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    SPICEによるシミュレーションを行うため、X-Yマトリクス構造を持つELパネルの回路モデルを検討した。ELパネルはマクロピクセルを用いてモデル化し、また、駆動ICとして用いられているSCRスイッチも回路モデル化した。シミュレーションにより、異なる画素に印加される電圧の差をある基準値以下としたとき、ELパネルの最大駆動周波数は主としてSCRの内部抵抗とRow電極の抵抗により決定されることをことを示した。
  • 小野田 貴稔, 祖川 久茂, 大観 光徳, 田中 省作, 小林 洋志
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 31-36
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    ELパネルの発光輝度の向上を目的とした付加パルス駆動方式について検討した。この駆動方式はPush-Pull対称駆動法の各フィールド間に、分極電荷を利用する付加パルスを入れることにより、1フィールド当たりの発光回数を増やし、高輝度化を実現しようというものである。既に単一素子では、輝度が1.5倍程度向上するという結果が得られている。そこで対角9インチ、640×400ドットのZnS : Mn ELパネルへこの駆動法を適用し、検討した結果について報告する。
  • 根来 靖典, 北爪 栄一, 三好 建也, 内池 平樹, 柏原 愛, 安蘇 芳雄, 大坪 徹夫
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 37-42
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    有機EL素子の劣化の原因と考えられる正孔輸送層の改善を行うため、正孔輸送層材料として新たに4つのジアミン誘導体材料を合成した。EL特性およびガラス状態をTPDと比較、評価した結果、TPD2、TPD3でばTPDより高い発光効率が得られた。TPD4はTPDより高いガラス転移温度を示した。
  • 濱口 眞基, 吉野 勝美
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 43-48
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    ラビング処理は, 高分子配向膜の作製方法として知られている.本研究では, ポリ(2,5-ジノニルオキシ-p-フェニレンピニレン), ポリ(3-アルキルチオフェン), ポリ(p-フェニレンピニレン)などの導電性高分子にラビング処理を適用し, これらの高分子の配向特性とエレクトロルミネッセンス(EL)特性を検討した.ラビング配向膜が, EL素子の発光層として使用できること, また, 電子輸送層を複合した素子において, 光ルミネッセンスと同等の二色比を有する偏光エレクトロルミネッセンスが得られることを明らかにした.
  • 藤井 彰彦, 吉田 正義, 弘中 康久, 大森 裕, 吉野 勝美
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 49-54
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    近年、有機EL素子の研究は盛んに行なわれている。ここでは、導電性高分子に色素低分子もしくはフラーレンを混合した薄膜を用いてEL素子作製し、その発光特性について検討した。分子ドーピングを行なうことにより、導電性高分子の発光における発光色可変性や消光現象、発光増強効果が見出された。
  • 中 茂樹, 新野 和久, 岡田 裕之, 女川 博義
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 55-60
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    青色発光材料のジスチリルビフェニル誘導体(DPVBi)とホール輸送材料であるトリフェニルアミン誘導体(TPD)の混合粉末から成膜された混合単層型の白色有機電界発光素子を検討した.DPVBiとTPDの混合素子により青色発光を確認し, 本素子に色素であるジシアノメチレン誘導体(DCM)を混合したITO/DPVBi+TPD+DCM[66 : 34 : 0.1](1000Å)/AlMgの構造を持つ素子から11V印加時に2750cd/m^2の輝度の白色発光を得た.またフェノキサゾン(Nile Red)とクマリン540(C540)の混合比を最適化することで, CIE色度座標上においてW点(x=y=0.33)に近い白色発光が得られる.
  • 川田 昌, 内池 平樹
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 61-66
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    青緑色発光のEL発光層材料であるSrS : Ce薄膜を製膜する際の課題として、SrSの組成比のずれの防止や結晶性の改善を行うことが必要である。本実験では、蒸着源としてZnSを混合したSrS : CeCl_3ペレットを用いて薄膜を作製し、さらに基板温度を変化させて膜の性質の変化を調べた。
  • 芝 文広, 中野 文樹, 上倉 直喜, 中西 洋一郎, 立岡 浩一, 中村 高遠, 桑原 弘, 畑中 義式
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 67-72
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    青色エレクトロルミネッセント用蛍光体SrGa_2S_4 : Ce薄膜の低温プロセスで作製することを目的とし、多元蒸着法を用いて薄膜作製を試みた。III族及びV族用蒸発源材料であるGa_2S_3は蒸発の際にGaSとS_2として分解し、基板上ではSr, GaS及びS_2との反応によってSrGa_2S_4,SrS及びGaSが形成され、それらの相の割合は基板温度や原料供給比に依存することがわかった。基板温度450℃、原料供給比Ga_2S_3/Sr=300として、堆積後600℃で3時間の熱処理を施すことによって薄膜は、SrGa_2S_4 : Ceを作製でき445nm及び490nmにピークを持つのPLスペクトルが得られた。
  • 今田 武史, 澤田 和明, 水野 武志, 中西 洋一郎, 畑中 義式
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 73-78
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    p-Si基板上にSiO_2を形成した場合に生じるバンドの曲がりを利用すると、低い印加電圧で外側から発光層内へホットエレクトロンを注入することができる。この応用としてSi基板上にELディスプレイを集積化することを目指して、EL素子/MOS FET構造の発光素子の作製を試みた。発光層としてZnS : Tb薄膜を用い、ITO/ZnS : Tb/SiO_2/p-n Si/Al構造で、1kHz矩形波励起で約10cd/m^2の輝度が得られた。しかしながら、FETを動作させた上でELの発光を得るために、ITOのパターニングの方法を検討する必要があること、また高輝度化、低電圧化のためにSiO_2層の膜厚やpn接合形成等について検討する必要があることが示された。
  • 大塚 勝博, 高橋 秀年, 畑中 義式
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 79-84
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    p-i-nダイオード構造とした、a-Si : H光導電層を持ち、光反射層に画素分離したアルミ膜を用いた液晶空間光変調器の作製と諸特性の測定を行った。p-i-nダイオード構造としたことによりPC層の暗抵抗率は約10^<13>Ωcm、光照射時の抵抗率は約10^9Ωcmと変化量が多く、実際に光変調素子に組み込んで画像を表示させた時にコントラスト比12 : 1という値が得られた。また広い波長領域を反射するアルミ膜を画素分離して用いているので、高精細な再生画像が容易に得られることが解った。
  • 菊池 宏, 平野 善之, 藤井 孝憲, 河北 真宏, 藤掛 英夫, 滝沢 國治, 横澤 美紀
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 85-90
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    光散乱型空間光変調素子(SLM)は、光利用率が高い、応答速度が速いなど、高輝度・大画面投射型ディスプレイに適した特徴を持つ。しかし、従来のBSO単結晶を用いた素子は、感度および解像度が低い問題があった。今回、高感度のa-Si : H厚膜(30μm)をECRプラズマCVD法により作製し、新しいSLMを試作評価した。これにより、従来素子に比べて2倍以上の感度(1mW/cm^2)と高い解像度(50lp/mm)を持つSLMが得られた。
  • 松岡 茂樹, 椎葉 賢, 前田 宏, 武田 悦矢
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 91-94
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    大型TFT-LCDの視角改善の一つとして、同一視点からLCDパネルの上部から下部へかけて眺めた場合に目立つ、見込み角による輝度傾斜(色目差)を補正する方法を開発した。駆動回路面から取り組み、容量結合駆動法を利用して、見込み角に対応するゲート走査線毎にバイアス電圧を変調していく事で補正を行っている。非常に簡易であり、表示品位・信頼性の面でも全く課題なく、視角改善が実現できた。
  • 中村 肇
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 95-100
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    広視角性および高速性を有する中間調動画表示器としてのOCBの光学設計上の最適化の手法とその効果について述べる。青に対する低いΔndを設定し、セルギャップをRGBで最適化することにより、青の旋光性の問題を発生させずに赤と緑の透過率を増加させることができさらに中間調表示の階調設定を色毎に別々にする制限がなくなり駆動系のコスト増加が避けられる。normally whiteの設計により、セルギャップ依存が少なくなる。
  • 佐藤 徳芳
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 101-106
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    現在, ドライエッチング、a-Si膜作製など、各種材料プロセスに弱電離プラズマが広く使用されている。ここでは、次世代に必要と考えられる、大面積均一プラズマの生成と電子エネルギー制御の技術確立に関する研究を紹介する。大面積均一プラズマの生成については、電子サイクロトロン共鳴によって生成される"ECRプラズマ"を対象として、大面積均一プラズマの生成の研究を行ってきた。ただし、プロセス基板近傍では磁界が無視できる、非磁化プラズマを目標としてきた。永久磁石を有する平面状スロットアンテナを開発し、アンテナからやや離れた場所(基板設置場所)で、現在直径ほぼ50cmの均一(変動が数%以内)プラズマが得られている。一方、電子温度制御については、プラズマの局所構造を制御して電子温度を下げる手法を提案し、ピン付きホロー陰極のピン長変化またはグリッドバイアスの変化によって、通常数万度の電子温度を一桁、条件によっては二桁にわたり連続的に制御することに成功している。また、電子温度が活性種の組成に大きな影響を与えることも明らかにしている。
  • 島谷 民夫, 小柳 光正
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 107-112
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    モンテカルロ法に基づくpoly-Si TFT用デバイスシミュレータを新たに開発し、poly-Si TFTにおけるキャリアの伝導機構を詳細に解析した。このシミュレータでは、poly-Si内部の結晶粒界が伝導電子に与える影響が、結晶粒界に捕獲された電子によって形成される電位障壁の高さを考慮して粒子を追跡することにより取り込まれる。伝導電子はこの電位障壁の高さに応じた反発を受け、その結果としてチャネル電流が変化することになる。今回のシミュレーション結果から、ゲート電圧が印加されることにより、ゲート酸化膜とpoly-Si薄膜の界面付近における電位障壁の高さは減少し、結果として電流は界面近くに閉じ込められることがわかった。又、衝突電離で発生した正孔は結晶粒界付近に集まり電位障壁の高さを減少させ、チャネル電子の伝導機構に大きな影響を与えることがわかった。このような正孔の振舞いが、poly-Si TFTにおけるアバランシェ誘起の短チャネル効果の原因の一つと考えられる。
  • 永山 和由, 木村 伸一
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 113-118
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    TFT/LCDを完成したセル状態で、一画素単位のTFT特性、画素容量を測定するテスターを開発した。測定方法は、ドライバーの階調表示入力端子から、画素内の電荷を読み出す。そのとき、電荷の時間変化を測定することによって、高精度にドレイン電流が測定される。液晶の入ったセルのId-Vg測定値は従来の測定法と一致した。また、電荷の電圧変化を測定する事によって、容量が得られ、実セルの液晶容量と、LCRメータで測定された容量とが一致した。ゲートソース間の寄生容量CgsをTFTオン状態で直接測定する方法を考案し、電圧依存性の容量のふるまいについて考察した。
  • 岡 俊行, 熱田 昌巳, 原 雄二郎, 辻 佳子, 池田 光志, 小川 吉文, 竹村 モモ子, 鈴木 幸治, 片岡 好則, 重光 由美, 辻 ...
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 119-124
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    大画面・高精細TFT-LCDに適用可能な低抵抗ゲート線材料としてMo-W合金を開発した。Mo-W合金は抵抗率が15μΩcmであり、現在ゲート線材料としてよく用いられているMo-Ta合金、Cr、α-Taと比べて低抵抗である。また、耐エッチング性、耐熱性に優れており、簡易な工程でゲート線が形成できるため、大画面・高精細TFT-LCDのゲート線材料として有望である。Mo-W合金の薄膜特性、スパッタ特性、テーパエッチング性等の基本評価および9.5インチVGAパーソナルコンピュータ用TFT-LCD、13.8インチワークステーション用TFT-LCDの試作を行い、高精細パネルへの適用可能性を確認した。
  • 藤原 正弘, 山元 良高, 山根 康邦, 土本 修平, 船田 文明, 粟根 克昶
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 125-130
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    低温poly-Si TFT-LCDのためのAl陽極酸化法による自己整合型オフセットゲート形成技術を開発した。本技術により、画素TFTとドライバTFTにそれぞれ最適のオフセット長を精度よく形成することが可能となった。その結果、低オフ電流(1.0pA/μm;画素TFT)、高電界効果移動度(Nch 174cm^2/V・s、Pch 66cm^2/V・s;ドライバTFT)、高信頼性等の優れた特性を備えるTFTが実現できた。本技術を用いた3.7型ドライバモノリシックTFT-LCDを試作した。
  • 岩本 宜久, 飯村 靖文, 小林 駿介
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 131-136
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    液晶にごく少量(≦3wt%)の光硬化性モノマーを添加し、ある配向状態にしたまま光硬化し、セル内に液晶と高分子ネットワークの複合系を形成させる高分子安定化法を用いたLCDデバイスの研究が行われている。我々は光硬化性モノマーとしてメソゲン骨格を有する液晶性モノマーを用い、光硬化時に磁場、及び電場により配向変形させることによりバルク中にティルト角を発生させ、その後光硬化することにより基板表面にプレティルト角がない場合においても一様なプレティルト配向が実現可能であることを見出した。さらにこの手法を応用して1画素内を異なるティルト方向を持つ2つの副画素に分割する2分割配向制御法を考案した。この方法により作製した2分割TBモード、及びTNモードセルの視角特性を測定したところ良好な対称的特性が得られた。
  • 山口 留美子, 和気 豊, 佐藤 進
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 137-142
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    高分子マトリクス材料としてUVキュアラブル液晶を用い、p型ネマティック液晶によるホモジニアス配向タイプおよびTN配向タイプのPDLC素子、またn型ネマティック液晶によるホメオトロピック配向タイプのPDLC素子を作製した。それぞれ印加電圧オフ時に光透過状態、電圧オン時に光散乱状態を示すリバースモードの特性が得られた。これらのPDLC素子の応答時間は、通常のドロップレットタイプのPDLC素子セルと同程度であり、回復時間はホメオトロピック配向タイプのPDLC素子において2〜3msと高速であることがわかった。さらに、通常のPDLC素子と比較して光透過状態で優れた視野角特性が得られた。
  • 角田 市良, 黄 錫〓
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 143-146
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    相分離構造を細胞膜化して液晶滴の大きさが2〜3μmのPDLCセルについて電気・光学的諸特性を示し, 同様のセルを太陽光浴下と水銀灯照射下で長時間暴露試験した後に得られた知見についても報告する。
  • 鷺岡 克洋, 不破 由晃, 宇戸 禎仁, 森武 洋, 黄 振球, 尾崎 雅則, 吉野 勝美
    原稿種別: 本文
    1996 年 20 巻 8 号 p. 147-152
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    高分子強誘電性液晶における光散乱を利用した電気光学効果について調べ、それを用いた双安定光スイッチングを示した。高分子強誘電性液晶において電圧印加時の螺旋消失に伴うヘリカル変歪型(DHS)および過渡散乱型(TSM)電気光学効果が観測された。TSMスイッチングの際に、過渡的にスメクチック層に平行な縞模様が観測され、分極反転の過程で瞬間的に螺旋構造が形成されているとして説明されている。この過渡的に形成された螺旋構造はその途中で電界を除去することにより、その後も維持されることがわかった。これらの電気光学効果を利用した、パルス電圧によって駆動可能な双安定スイッチングが実現できた。
  • 原稿種別: 付録等
    1996 年 20 巻 8 号 p. App1-
    発行日: 1996/02/20
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
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