応用物理学会学術講演会講演予稿集

第77回応用物理学会秋季学術講演会

選択された号の論文の3692件中2701～2750を表示しています

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高湿環境下でのシリコン窒化膜の表面酸化過程

奥友希, 志賀俊彦, 戸塚正裕, 高木晋一

セッションID: 16a-P4-4
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2701

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V-MOSFET の Si/SiO₂(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性

川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二

セッションID: 16a-P4-5
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2702

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Si-MOSにおける化学酸化法による界面層作製手法の検討

杉野優介, 岩崎好孝, 上野智雄

セッションID: 16a-P4-6
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2703

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REALD形成 Al₂O₃/GeO₂/p-Ge MOSキャパシターの電気特性に及ぼすゲート電極金属の影響

山田大地, 王谷洋平, 山本千綾, 山中淳二, 佐藤哲也, 岡本浩, 福田幸夫

セッションID: 16a-P4-7
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2704

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2段階熱処理によるAlO_x/GeO_x/Geゲートスタック構造の作製

部家彰, 吉岡尚輝, 松尾直人

セッションID: 16a-P4-8
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2705

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CMOS-MEMS慣性センサにおける機械的ノイズの解析手法

小西敏文, 山根大輔, 伊藤浩之, 道正志郎, 石原昇, 年吉洋, 益一哉, 町田克之

セッションID: 14p-P5-1
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2706

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1mG以下検出へ向けた積層メタルMEMS加速度センサの基礎検討

山根大輔, 小西敏文, 佐布晃昭, 曽根正人, 年吉洋, 益一哉, 町田克之

セッションID: 14p-P5-2
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2707

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積層メタル差動型MEMS加速度センサの基礎検討

山根大輔, 小西敏文, 佐布晃昭, 伊藤浩之, 道正志郎, 石原昇, 曽根正人, 年吉洋, 益一哉, 町田克之

セッションID: 14p-P5-3
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2708

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齧歯類実験動物における特定音波検知MEMSセンサの作製

村上修一, 岩城遼, 佐藤和郎, 田中恒久, 宇野真由美, 舘野高

セッションID: 14p-P5-4
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2709

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デュアルビームFIB/SEMを用いたフェライト・カンチレバーの作製

ソヨンジュン, Harii Kazuya, Takahashi Ryo, Chudo Hiroyuki, Oyanagi Koichi, ...

セッションID: 14p-P5-5
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2710

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AlSi/TiNバンプおよびACPを用いた汎用集積回路への3次元接続評価

三石昂洋, 秋山正弘, Dali Zhang, Myung-Jae Lee, Edoardo Charbon

セッションID: 14p-P5-6
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2711

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Al誘起横方向成長をSDに利用したガラス基板上の平面型自己整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFT

原明人, 西村勇哉, 大澤弘樹

セッションID: 14p-P5-7
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2712

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フォトリソグラフィとUVキュア処理によるナノギャップ電極アレイ形成

粂内真子, 熊谷慎也, 趙亨峻, 近藤博基, 石川健治, 堀勝, 佐々木実

セッションID: 14p-P5-8
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2713

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SiO₂膜のAl触媒化学蒸気エッチングとその特性評価

米谷玲皇, 村上剛浩, 前田悦男

セッションID: 14p-P5-9
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2714

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試料操作のためのプラズモニック構造を用いた光束誘導

奥野将人, 米谷玲皇, 前田悦男

セッションID: 14p-P5-10
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2715

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第一原理計算を用いたSi中のドーパント近傍の金属原子の拡散経路とエネルギー障壁に関する研究

山田惇弘, 末岡浩治

セッションID: 14p-P5-11
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2716

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微傾斜Si(211)基板上へのBiドーピング層成長2

三木一司, 村田晃一, 金澤孝, 田中博也, 日塔光一, 大野真也, 田中正俊

セッションID: 14p-P5-12
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2717

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Electrodeposition of Crystalline-silicon on Metal-substrate from SiO₂ in Molten-salt

Muhammad Monirul Islam, Takeaki Sakurai, Katsuhiro Akimoto

セッションID: 14p-P5-13
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2718

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低温TFTに向けた大気圧プラズマCVDによるSi成膜プロセスの研究

田牧祥吾, 寺脇功士, 木元雄一朗, 鎌田航平, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔

セッションID: 15a-B10-1
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2719

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ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜の高速溶融結晶化

中島涼介, 新良太, 花房宏明, 東清一郎

セッションID: 15a-B10-2
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2720

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中空構造SOI層を用いた低温転写における転写歩留まり向上とフレキシブル基板上での単結晶シリコンTFTとインバータ回路の作製

水上隆達, 竹島真治, 山下知徳, 東清一郎

セッションID: 15a-B10-3
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2721

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新しいミクロレーザ走査相変換パターニング法による湾曲基板上へのpoly-Si TFT作製

葉文昌

セッションID: 15a-B10-4
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2722

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結晶性Geを用いたフレキシブル薄膜トランジスタの実証

東英実, 中野茉莉央, 工藤康平, 藤田裕一, 山田晋也, 金島岳, 角田功, 中島寛, 浜屋宏平

セッションID: 15a-B10-5
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2723

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自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTのV_th制御を利用したE/Dインバータの特性

大澤弘樹, 原明人

セッションID: 15a-B10-6
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2724

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液体Si蒸着法を用いた結晶Si薄膜トランジスタの作製と特性評価

菱谷大輔, 石河泰明, 池上浩, Trifunovic Miki, 石原良一, 下田達也, 浦岡行治

セッションID: 15a-B10-7
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2725

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ＥＬＡ（エキシマレーザアニール）による接合型Ｓｉ太陽電池の表面反射防止膜による特性の向上

鈴木仁, 楊天熙, 岡田竜弥, 野口隆, 河本直哉

セッションID: 15a-B10-8
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2726

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ラマン分光法を用いた多結晶シリコン薄膜成膜プロセス依存の評価

鈴木貴博, 横川凌, 高橋和也, 小森克彦, 森本保, 澤本直美, 小椋厚志

セッションID: 15a-B10-9
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2727

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ラマン分光法による多結晶シリコン粒内のナノ構造評価

横川凌, 鈴木貴博, 鈴木涼太, 高橋和也, 小森克彦, 森本保, 澤本直美, 小椋厚志

セッションID: 15a-B10-10
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2728

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応力制御ができる高密度TiN薄膜の成膜技術

沼田幸展, 平松大典, 中野賢明

セッションID: 15a-B10-11
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2729

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簡便な方法によるチタン膜の破壊強度評価

石塚典男, 佐久間憲之

セッションID: 15a-B10-12
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2730

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High Mechanical Strength in Gold Films Electroplated with Supercritical Carbon Dioxide for MEMS Applications

唐浩峻, Chen Chun-Yi, Chang Tso-Fu Mark, 山根大輔, 町田克之, 益一哉, 曽根正人

セッションID: 15a-B10-13
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2731

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フォトニクス集積化のためのMEMS

羽根一博, 佐々木敬, Thubthimthong Borriboon

セッションID: 15p-B10-1
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2732

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UV活性化によるシリコン/砒化ガリウムの高強度融着とシリコン上量子ドットレーザ形成への応用

張芫萱, 田辺克明, 張奉鎔, 岩本敏, 荒川泰彦

セッションID: 15p-B10-2
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2733

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ウェットエッチングを用いたSOI基板のサブナノメートル精度薄膜化

桑原充輝, 高橋和

セッションID: 15p-B10-3
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2734

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3D多光子造形体への磁性マイクロ粒子の位置選択導入と磁気応答

鈴木勝大, 西山宏昭

セッションID: 15p-B10-4
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2735

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赤外偏光イメージングによる立体形状識別

久保山貴文, 小川新平, 藤澤大介, 木股雅章

セッションID: 15p-B10-5
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2736

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非対称マッシュルーム型プラズモニックメタマテリアル吸収体による赤外偏光検知

小川新平, 藤澤大介, 久保山貴文, 木股雅章

セッションID: 15p-B10-6
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2737

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高い波長選択性を持つMEMS Fabry‐Perot干渉型表面応力センサの設計・製作

高橋利昌, 桝屋善光, 石田隼斗, 飛沢健, 髙橋一浩

セッションID: 15p-B10-7
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2738

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積層メタル技術によるMEMS加速度センサのばね定数設計方法（I）

佐布晃昭, 小西敏文, 山根大輔, 年吉洋, 曽根正人, 益一哉, 町田克之

セッションID: 15p-B10-8
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2739

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ピエゾ抵抗角度・焦点距離センサを集積した焦点可変スキャナの製作

中澤謙太, 佐々木敬, 古田裕正, 神谷二朗, 佐々木秀記, 神谷東志一, 羽根一博

セッションID: 15p-B10-9
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2740

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走査型ヘリウムイオン顕微鏡およびSEM観察による有機膜の構造変化

小川真一, 飯島智彦

セッションID: 15p-B10-10
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2741

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熱フィラメント法で生成した水素ラジカルによる大気圧下でのSiCl₄の分解

岡本裕二, 堤大耀, 石垣隆正, Fatima Zohra Dahmani, 角谷正友

セッションID: 15p-B10-11
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2742

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SiHCl₃-SiH_x系シリコンエピタキシャル成長の反応速度式

渡部亨, 羽深等, 齋藤あゆ美

セッションID: 15p-B10-12
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2743

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SiHCl₃-SiH_x系シリコン薄膜形成法により得られる薄膜中の炭素濃度

齋藤あゆ美, 山田彩未, 羽深等

セッションID: 15p-B10-13
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2744

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F₂レーザー堆積法によるナノポーラスSiO₂膜の形成

當間拓矢, 諏訪輝, 中村大輔, 池上浩

セッションID: 15p-B10-14
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2745

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マルチウェル構造TSVを用いたTSV側壁Si-SiO₂界面準位の評価

菅原陽平, 木野久志, 福島誉史, 李康旭, 小柳光正, 田中徹

セッションID: 15p-B10-15
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2746

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表面活性化ボンディング法によるCu箔/Si接合の電気特性評価

古名克也, 梁剣波, 松原萌子, ダムリンマルワン, 西尾佳高, 重川直輝

セッションID: 15p-B10-16
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2747

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Si基板/ITO薄膜表面活性化接合の形成

小川智輝, 梁剣波, 荒木建次, 神岡武文, 重川直輝

セッションID: 15p-B10-17
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2748

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イオン注入およびFLAを用いたn+/p, p+/n Geにおける高活性化と浅い接合形成

谷村英昭, 河原崎光, 加藤慎一, 青山敬幸, 小林一平, 鈇田博, 中島良樹, 永山勉, 濱本成顕, 酒井滋樹

セッションID: 16a-B10-1
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2749

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FLAを用いた浅く高活性なn+/p Ge接合形成と酸素ノックオンの影響

河原崎光, 谷村英昭, 加藤慎一, 青山敬幸, 小林一平, 鈇田博, 中島良樹, 永山勉, 濱本成顕, 酒井滋樹

セッションID: 16a-B10-2
発行日: 2016/09/01
公開日: 2023/02/18

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2750

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