ビスマス置換YIG(Bi:YIG)薄膜を用いた1次元磁性フォトニック結晶(1D-MPC)の局在モードの磁気光学を、マトリックスアプローチ法による理論解析により調べた。その結果、(SiO_2/SiN)^k/Bi:YIG/(SiN/SiO_2)^kの構造をもつ1D-MPCについて、Q_F=&mid;θ_F&mid;T^<1/2>/d_M(θ_F:ファラデー回転角, T:透過率, d_M:Bi:YIG厚)で定義した透過光の、並びにQ_K=&mid;θ_K&mid;R^<1/2>(θ_K:カー回転角, R:反射率)で定義した反射光のとも極めて大きな値に達することを見出した。例えばk=10の場合で、第1局在モードのはQ_F&ap;37(deg/mm)、Q_K&ap;4.5(deg)に達する。

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SrTiO3は安価で毒性の無い酸化物熱電変換材料として期待されている。しかしその高い熱伝導率がを減少させており、これを低減させる必要がある。ここではドナー元素であるLaを他の希土類元素で置き換えた系、SrをCaまたはBaで置き換えた系、還元等により酸素欠陥を導入した系についてそれぞれ室温から600℃までの熱電特性を評価した。Ca、Baで置換した系では電気伝導率・熱伝導率ともに低下したものの、Ca置換によって室温付近でのは4割ほど増加した。またLa以外の希土類元素で置換した系では、希土類元素のイオン半径に応じて熱伝導率が減少しが大きく向上した。

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Fe₂O₃FeTiO₃系およびこれに他元素を添加した試料を作成し、その熱電特性を評価した。試料は固相反応にて作成した。電気伝導率およびゼーベック係数を四端子法および定常直流法にて測定し、熱伝導率はレーザーフラッシュ法から求めた熱拡散率より評価した。測定はいずれも室温から1073 Kまで行い、これらの値からを算出した。試料はいずれもn型のホッピング伝導を示し、温度が高くなるにつれが向上した。

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熱電変換材料とは材料に温度差をかけるとキャリアが熱励起され勾配ができ、その温度差に応じて起電力が生じる材料であり、熱エネルギーを電気エネルギーに直接変換する熱電変換等に利用される。この材料はゼーベック係数S(V/K)、電気抵抗率ρ(Ω/m)および熱伝導率κ(W/mK)を用いて、Z=S²/ρκ、または無次元ZT(T：動作温度)によって評価される。これまでコバルト酸ナトリウムNaCo₂O₄は熱電変換材料として高いを持つことが知られていたが、高温での低耐久性、また潮解性を示すという欠点があった。そこでこれらの問題点を克服し新規な酸化物熱電変換材料を探索することを目的にNaの代わりにEuを用いEu-Co-O系セラミックスを作製し、それらの構造解析、電気的、熱的特性の評価を行った。さらにEu以外の希土類元素を用い、Re-Co-O系セラミックスを作製し、評価を行った。

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酸化物熱電変換材料バルク体にナノサイズの独立閉気孔（ナノボイド）を高分散することにより、電気的特性を下げずに熱伝導率κのみを低減できる可能性に着目し、ナノ粒子分散焼結プロセスによるナノボイドの形成条件や分散状態等と熱電特性との関係を詳細に調べた。AlドープZnOへのナノボイド構造の導入によってゼーベック係数Sが全温度領域において大幅に増大したため、Zはナノ粒子無添加試料と比べて著しく大きくなり、約1000℃における無次元は、n型酸化物の最高記録を約２倍上回るZT=0.65を達成した。

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We have measured the variability of thermoelectric performance for p-type Bi-Sb-Te thermoelements, synthesized via the PIES (Pulverized and Intermixed Elements Sintering) method. We observed variations both between samples and between slices taken from individual samples. Within each sample, resistivity and thermal conductivities were found to vary by 3 to 4% along the sample length, with minimum in the center; while the Seebeck coefficient varied by 1% randomly.
Variability in thermoelectric performance was larger between samples, due to variances in carrier concentration (not measured). The observed thermoelectric figure-of-merit had a mean value across ail sarnples of. 00315±.00022±.00019 K-1; where the first error is due to variance between samples, and the second error is the variance within each sample. This yields a TOTAL VARIABILITY of 10%. Thus, the PIES method is an excellent choice for high quality mass production of p-type Bi-Sb-Te.

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重水素ランプを用いたB2H6-PH3-H2系光・熱CVD法によって、石英ガラス上に析出させた非晶質ホウ素および多結晶リン化ホウ素薄膜の熱電特性を測定した。導電率、熱電能の温度依存性および石英ガラスの熱拡散率から、石英ガラスベースの熱電を求めた。その結果p,n型を制御した光・熱CVD法で作製したリン化ホウ素薄膜のは10-4/Kでホウ素薄膜より大きく、高温熱電素子材料として有望である。

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The idea of control performance assessment is becoming very important in the process control area. However, the low control performance index denotes only the deterioration of control performance. The strategies of the parameter retuning are not suggested. And, the control performance of the new controller can not be estimated, because the calculation of control performance index needs to apply the new controller into the real systems. In the real plant, when the performance index shows the bad value which mean the control performance is deteriorated, the retuning of the controller is done by plant operator based on their experiments. However, if this retuning is failed, the performance of this plant is more deteriorated. This paper proposes the retuning method of PID controller based on the controller performance assessment. The objective of the proposed scheme is to close the target performance of PID controller when controller performance deteriorates. The retuning mechanism is based on the estimated controller performance with the on-line system identication. Finally, numerical evaluations demonstrate the practically and utility of this idea.

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Power devices with high capability have been developed. 8kV•3.5kA class light-triggered thyristors have the highest capability among power devices. These devices are used in the Kii channel HVDC transmission system in Japan. In this paper, we report the extracted problems of conventional testing methods of 8kV•3.5kA class light triggered thyristors among manufacturers, and the proposed unified testing methods on the basis of element characteristics and operating conditions in Kii channel HVDC system. Furthermore, we propose a figure of merit for power devices for the practical use, and try to extract elements used at Kii channel HVDC system with small margins and low withstand capabilities.

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従来，主として計算時間の問題のため，全方向視差高解像度CGHはポリゴン法で計算されることが多く，特にレーザーリソグラフィによる高解像度CGHは点光源法で作成されたことがなかった．しかし，点光源法はGPUの性能向上に伴って急速にその実用性が増している．そこで本研究では，点光源法とGPUを用いて40億ピクセル規模の高解像度CGHを作成し，その計算時間と光学再生像の確認およびポリゴン法との比較を行った．

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Two types of n-type single crystals of PbTe were prepared. One is the undoped crystals by sublimation method under controlled Pb pressure where the electron concentration was covered from 10¹⁸ to 10¹⁹cm^-3. The maximum figure of merit at 300K was 2.2×10^-3K^-1. The other is the iodine-doped crystals by Bridgman method using PbI₂ as the source material of iodine. The electrical conductivity and Hall mobility were measured from 77 to 300K. The electron concentration was successfully controlled in the range from 5.0×10¹⁷ to 5.0×10¹⁹cm^-3 by doping 700 to 6000 molppm PbI₂. The temperature dependence of electron mobility indicated that the scattering mechanism of the electron changed from phonon scattering to impurity scattering with an increased amount of PbI₂. From the results of electrical conductivity and thermoelectric powei measurements, the figure of merit estimated by using the literature data of thermal conductivity was 1.3×10^-3K^-1 at 2000 molppm PhI₂.

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熱電発電はエネルギーの高効率利用技術として期待されている。環境負荷の小さい酸化物熱電材料の中でも、ZnO系酸化物熱電材料は既存材料に匹敵する高い電気的熱電性能を示す。しかし熱伝導率が非常に高いため、熱電は実用水準の3割程度にとどまっている。我々は既に、ZnO系の中で最も優れた熱電性能を示すZn0.98Al0.02Oを母相として、100nmオーダーの閉気孔（ナノボイド）を分散させることにより、熱伝導率のみを効果的に低減できることを見出している。本研究では、ナノボイドの数、サイズ、分布等を詳細に調べ、ナノボイド構造の最適化を行って、フォノン選択散乱による熱電の向上を検討した。

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本論文では, 兵庫県内の8路線における水硬性粒度調整複合スラグ路盤材 (以下HMS-25Sと略す) 及び水硬性粒度調整スラグ路盤材 (以下HMS-25と略す) を用いた試験舗装を対象に, 現地での路面性状の実測データより得られたサービスとその路線を対象に円形走行試験に基づくパフォーマンス解析を行って得られた舗装のパフォーマンスカーブを比較し, パフォーマンス解析の現地への適用性を検証したその結果, A及びB交通舗装断面については, 実測直より得られたサービスは解析結果のパフォーマンスカーブの近傍にあり計測の精度等を考慮すると許容範囲にあることがわかった.

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(Bi_1-xSb_x)₂(Te_1-ySe_y)₃ compound were prepared from melts with stoichiometric composition by the quenched technique and annealed in a vacuum at 400°C for 10 hours. The temperature factor of crystals in the whole range of hexagonal structure was determined by X-ray powder mothod and estimated to be 1. 8_??_4.0 Ų. The contour map of the temperature factor has two peaks (maxima). The thermoelectric figure of merit Z(=α²σκ^-1) and lattice thermal conductivity κ_g(=κ-LσT) were measured in these materials and are found to be related with the temperature factor of crystals. Futhermore the following equations are obtained in the hexagonal structure region
κ_g=A₁•M_a^-(1/2)B^-(3/2)•δ (W/deg•cm)
Z=A₂-M_a^(1/2)B^(1/2)•δ^-2 (/deg)
where A_n: constant, M_a: atomic mass, δ: atomic radius.

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BiCh_2_系層状化合物LaOBiS_2-x_Se_x_はSe置換量の増加により熱電特性が大幅に上昇し，高い無次元

ZT = 0.36（650 K)を示す．本研究では熱電物性のSe濃度依存性を評価し，Se置換による熱電特性向上の起源を解明する．また，高温での結晶構造変化に基づき，低熱伝導度の起源を議論する．

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