シリカガラス中に生成する照射欠陥の反応

抄録

イオンビーム照射したシリカガラスを用いて等温アニール実験を行い、照射欠陥の反応の速度定数と活性化エネルギーを求めた。E'が酸素原子と反応してNBOHCおよびPORとなる反応の活性化エネルギーとして約0.4eVの値を得た。