3C-SiC中の欠陥集合体の成長に関する数値解析

抄録

本研究ではこれまで、Gao-Weberポテンシャルを用いた分子静（動）力学計算により3C-SiC中の欠陥に関するエネルギー論（SIA集合体や空孔集合体の形成エネルギー・結合エネルギー)の評価を行ってきた。 今回は運動論（kinetics）へと展開し、SiC中の欠陥集合体の成長に関して 反応速度論モデル計算を行い、計算モデルおよび欠陥エネルギー等の妥当性を検証した結果を報告する。