日本物理学会誌
Online ISSN : 2423-8872
Print ISSN : 0029-0181
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カーボン 60 とシリコン表面の相互作用
須藤 彰三, 坂本 一之, 脇田 高徳
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1998 年 53 巻 3 号 p. 197-200

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抄録
最近の走査プローブ顕微鏡, 特に走査トンネル顕微鏡(STM)の技術的進歩により, 表面の原子像が容易に得られ, 原子や分子の操作も可能になってきた. その結果, それらの任意配列を目指す一つの研究の流れができている. 筆者らは, その原子像の背後にある表面のポテンシャルや吸着原子と表面の相互作用を研究する手段として, 高分解能電子エネルギー損失分光法とSTMの複合測定装置を開発してきた. ここでは, シリコン表面に吸着したカーボン60を例に, その有効性を紹介する.
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© 社団法人 日本物理学会
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