電子機器の高機能化、高速化に伴い、半導体デバイスの高集積化、回路の複雑化に基づくピン数の増大、半導体デバイスの動作周波数の増大が進行している。これを実装するビルドアップ配線板にも配線の高密度化、優れた電気特性を有することが求められている。配線の高密度化には20μmピッチ以下の微細配線が必要とされている。一方優れた電気特性の一つとしてビルドアップ配線板のインピーダンスが制御されていることが挙げられ、このためには層間絶縁層を微細配線の幅と同程度の厚みで、かつ均一に制御することが求められている。本報告では上記要求を満たす材料として、シード層/ポリイミドコアフィルム層/ポリイミド接着剤層からなる新規ビルドアップ材料の開発を行い、セミアディティブ工法を用いたビルドアップ配線板製造プロセスの適合性等各種項目に関し評価を行った。
