低温塗布プロセスによる高性能酸化シリコン絶縁膜の開発

抄録

特定のケイ素化合物を基板上に塗設し200℃以下で紫外光を照射する事により高純度酸化シリコン膜を作製する技術を開発した。作製した酸化シリコン薄膜はシリコン熱酸化膜並みの表面平滑性と絶縁性能を有し、そのＲＭＳ値は0.15nm、抵抗率は10の15乗オームcm＠1MV/cm、絶縁耐圧は6-8MV/cmであった。本技術では従来の塗布工法と異なり塗布したケイ素化合物の酸化シリコンへの転化過程において化学反応や熱履歴による体積変化を最小限に押さえる事によって緻密な薄膜の作製を可能にしている。講演においては本技術について材料やプロセスの面からその有効性を紹介すると共に他の物性評価の結果等についても発表する。