貫通電極形成における高速Viaめっき技術

抄録

三次元実装技術のキープロセスの一つである、電解銅めっきによる貫通電極形成方法において、重要課題の一つであるめっき時間の短縮を目的とした新構造のめっき装置「HIKEP-Tシリーズ」を開発した。この装置を用いて行った□10μm、アスペクト比7.0の貫通電極に対するめっき時間短縮効果および得られたCu貫通電極の微細構造についての評価結果を合わせて報告する。