抄録
近年、デバイスの小型・高機能化に伴い、様々な電磁界的結合による特性劣化が頻発し、開発遅延の要因となっている。従来の電磁界解析ツールでは、デバイス内の全結合を考慮した特性算出は可能であるが、部分的な結合有無の影響を見ることができず、特性劣化要因の特定が困難である。そこで、結合の影響を高精度かつ高速に算出する新電磁界解析ツールMomCACEを開発した。本ツールは任意箇所の結合の有無を切替えて計算することにより、劣化要因箇所の特定が可能となる。本ツールを設計に適用することにより、結合による劣化要因の究明が容易かつ短期間で可能となる。今回、実デバイスに適用し、有効性を実証したので報告する。
