抄録
デバイスの高精度かつ効率的な組立ての実現を目指すにあたり、ウエハサイズでの一括接合に注目が集められている。またSAB（表面活性化接合）法は次世代エレクトロニクス実装における有効な手段として広く紹介されている。本論文では、SAB法を用いてシリコンウエハを常温条件下で接合し、一定の条件下でボイドなく接合されることを確認した。シリコンは常温、真空度2.5×10-6 Pa以下において結合エネルギーが2.2 J/m2以上得られることが確認された。また真空度などのパラメータについて接合強度に対する影響を調べた。またシリコンウエハに金属薄膜を蒸着させたもの同士を150℃までの低温領域で接合し、温度依存性などについて調べた。
