三次元チップ積層デバイス用インターチップフィル材

抄録

半導体素子の性能向上と低価格化は、その微細化によって推し進められてきた。しかし、その物理的限界やコスト上昇などの懸念があり、次の時代を担う半導体デバイスの高性能化技術として貫通電極を用いた三次元チップ積層技術が注目を集めている。三次元積層デバイスにもその機械強度や、チップ間電極の耐腐食性など信頼性を向上するためにチップ間樹脂充填が必要となると考えられる。この充填材料（インターチップフィル：ＩＣＦ）は、今後数ミクロンの狭ギャップにも対応する必要性があり、事前塗布技術（ウェハレベル塗布など）の適用など、通常のアンダーフィル材とは異なると考えられるため、その要求特性について検討を行った。