フラックスレス接続用低融点Sn系薄膜はんだの開発

抄録

光通信や記録用光モジュールでは光素子の実装に薄膜はんだが用いられる。従来、融点278℃のAu-Snはんだが使われてきたが、接続後の残留応力を低減させるために、より低温の220℃～240℃で接続できるSn系薄膜はんだが求められている。Sn系薄膜はんだの課題は酸化しやすいことである。そこでSn上に拡散バリアとしてAg層、酸化防止のためのAu層を形成したSn/Ag/Au構造を考案した。本構造により窒素中、フラックスレスでの接続で良好なぬれ性を実現した。さらに、低温で接続可能なSn-Bi系薄膜はんだを開発し、200℃以下での良好な初期接続性を実現した。