銅と銀薄膜のプラズマ活性化接合

抄録

本研究は銅を配線材やヒートシンクとして用いる際に、熱膨張系数差による界面への応力を緩和するため、Siチップへのバッファ層として銀薄膜を形成し、銅と接続することを目的とした。そこでプラズマ活性化接合法によって銅バルク材と銀薄膜を直接接合することを試みた。その結果、低真空雰囲気(5.5Pa)雰囲気でのArプラズマ(100W)処理を施すことにより、従来250℃以上の加熱が必要であった銅と銀の接合が190℃で実現することができた。