特集：パワーデバイス用半導体結晶 —Si, SiC, GaN, ダイヤモンド, Ga2O3—
パワーデバイス用Ga2O3結晶
2017 年 137 巻 10 号 p. 693-696
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2017 年 137 巻 10 号 p. 693-696
1．進化著しいGa2O3パワーデバイス
昨今新しいパワーデバイス用材料として酸化ガリウム（Ga2O3）が注目されているが，その開発目標は「SiCより優れた低損失をSi並みのコストで実現すること」である。（株）FLOSFIAで試作したSchottky Barrier Diode（SBD）は，その特性オン抵抗が世界最小値0.1 mΩcm2を実現
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