電気学会誌
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特集：パワーデバイス用半導体結晶 —Si, SiC, GaN, ダイヤモンド, Ga2O3—
パワーデバイス用ダイヤモンド結晶
寺地 徳之, 小出 康夫
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キーワード: ダイヤモンド, 高純度, 欠陥評価
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2017 年 137 巻 10 号 p. 689-692

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抄録

1．はじめに

パワーデバイス応用に資するダイオードを作る場合，オン状態での高い伝導度に加えて，オフ状態での高い耐圧，さらに低い漏れ電流といった優れた逆方向特性が強く求められる。逆方向特性の改善には，高品質結晶の利用が不可欠である。パワーデバイス応用で先行している4H-SiCで

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