シリコン量子ドット発光材料の生成プロセスの最新動向

─低環境負荷照明光源への応用に向けて─

抄録

1．はじめに

シリコン（Si）結晶は良好な半導体電気材料として現在のエレクトロニクス技術に欠かせない基盤材料である。一方では，シリコンのバンドギャップエネルギーはおよそ室温で～1.18 eV程度^（1）であり励起された電子が再結合（エネルギー緩和）する場合に生じる光は赤外波長（～1,050