岩崎通信機(株)
2025 年 145 巻 5 号 p. 254-257
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1.はじめに
SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)デバイスは,高速スイッチングや高効率を実現し,パワーエレクトロニクス機器の小型化や省エネルギー化に貢献する重要な役割を果たしている。しかし,その高速スイッチング特性により電圧・電流の波形歪みが発生しやすく,回路動作の
電氣學會雜誌
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