電気学会誌
Online ISSN : 1881-4190
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特集 パワエレ磁気の課題と今後の動向
高周波パワエレ磁気デバイス
今岡 淳
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ジャーナル 認証あり

2025 年 145 巻 5 号 p. 258-261

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抄録

1.はじめに

近年,SiCやGaNなどの化合物半導体デバイスの性能向上は目覚ましく,半導体デバイスの低損失化はもちろんのこと,さらにこれらデバイスを有効に活用するための半導体デバイスの高放熱化(1)や高信頼化に向けた評価法に関する議論(2)など幅広く研究開発が進められている。これら

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