名古屋大学
2025 年 145 巻 5 号 p. 258-261
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1.はじめに
近年,SiCやGaNなどの化合物半導体デバイスの性能向上は目覚ましく,半導体デバイスの低損失化はもちろんのこと,さらにこれらデバイスを有効に活用するための半導体デバイスの高放熱化(1)や高信頼化に向けた評価法に関する議論(2)など幅広く研究開発が進められている。これら
電氣學會雜誌
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