論文
液晶性有機半導体を用いたイメージセンサピクセルの作製
2025 年 64 巻 1 号 p. 3-8
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2025 年 64 巻 1 号 p. 3-8
本研究では，液晶性有機半導体Ph-BTBT-10を用いた有機トランジスタ及び，液晶性フタロシアニン誘導体8H2Pcを用いた有機フォトダイオードをPET（polyethylene terephthalate）フィルム上に集積化してイメージセンサピクセルを作製した．有機トランジスタのゲート絶縁膜には光架橋によりパターニングが可能なpoly（vinyl cinnamate）を用いた．作製したイメージセンサピクセルは，光照射下における出力電流が有機トランジスタのオン電流及びオフ電流に律速され，有機トランジスタによるスイッチングが確認された．またリニアダイナミックレンジは51 dBであり，有機トランジスタのオン抵抗が有機フォトダイオードの光照射時の抵抗と比べて小さい100 µW/cm2以下かつ，有機フォトダイオードの暗電流に律速されない10 nW/cm2以上の光強度では高い線形性をもつ光応答を示した．1ピクセルあたりの応答時間は2.6ミリ秒となり，30 fpsで1フレームあたり12行分を出力可能な動作速度であった．
