抄録
酸化物蛍光体の2元化合物としては初めてGa_2O_3を薄膜エレクトロルミネッセント(EL)素子用の蛍光体母体材料として採用した。高周波マグネトロンスパッタ法およびディップコート法によりMn、CrまたはEuをドープしたGa_2O_3蛍光体薄膜を形成し、それらの薄膜を発光層に用いるセラミック絶縁層形薄膜EL素子を作製してEL特性を調べた。Ga_2O_3 : Mn, Ga_2O_3 : CrおよびGa_2O_3 : Eu蛍光体薄膜を発光層として用いた素子において、1kHz正弦波交流電圧駆動で、それぞれ1018cd/m^2の緑色、270および27cd/m^2の赤色発光を実現し、Ga_2O_3蛍光体が薄膜EL素子用の発光層材料として極めて有望であることがわかった。
