FeNi斜めスパッタ下地層上に形成したCo-Sm-Oグラニュラー薄膜の磁気抵抗効果

抄録

トンネル型磁気抵抗効果(TMR)による大きな磁気抵抗の変化を利用して、高性能薄膜磁気ヘッドや磁気センサの開発が進められている。TMR媒体として、磁性-非磁性グラニュラー薄膜は作製が容易なこともあり魅力ある媒体といえるが、これらの試料で大きなTMRを得るには数kOeという大きな磁場の印加が不可欠で、その軟磁性化が重要な課題であった。その方策としてFeNi膜で自己組織化的にうね状ナノ構造を形成した上にグラニュラー膜を成膜することにより、単層膜の場合に比べ200倍程度の磁界感度の改善が図れた。