光・磁気記録膜において, スパッタ時における堆積速度, 結晶性及び組成変動抑制を本研究の目的とした.我々は, (セルフ)バイアス電圧に着目し, そのバイアス電圧をカソード磁界により制御して, 長期間連続して初期設定条件の堆積速度を得ることが可能で, かつ, ターゲット組成と膜組成を一致させることが可能な磁界制御型マグネトロンスパッタ方法を提案する.本手法により, Fe膜, ガーネット膜を堆積したところ, 前者は, 長期間のスパッタ後でも堆積速度は一定で, かつ, 結晶性の再現性が良好な膜が得られ, 後者においては, 膜組成ずれが起こらない膜形成が可能となり, 本スパッタ法は成膜時の堆積速度, 結晶性及び組成の変動抑制に有効であった.
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