(Sr_<1-x>Ca_x)S:Cu,F固溶体薄膜は、固溶体蛍光体を蒸発源として電子ビーム蒸着法で作製し、ArあるいはH_2S中でラピット・サーマル・ア二ール(RTA)にて900℃でア二ールをおこなった。xの増加に伴って、薄膜のXRDのピーク位置は高角度側にシフトし、PLスペクトルのピークは短波長側にシフトした。しかしH_2S中でアニールをおこなった薄膜のPLスペクトルは長波長成分が大きくなった。このことはH_2S中のア二ールでSr欠陥によるCu^+-Cu^+ダイマー中心が生成したことを示唆している。薄膜EL(TFEL)素子をSrS:Cu,F薄膜でAr中におけるRTA法とH_2S共蒸着法で作製した。それらの色度座標はそれぞれ(0.16, 0.23)と(0.16, 0.21)であった。この結果からH_2S共蒸着をおこなうことにより、色純度の良いTFEL素子が作製できることが示唆された。
