水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)

抄録

ジエチルジンク(DEZn)と0_2ガスを原料とする水素ラジカル励起リモートプラズマMOCVD法により、a面サファイア基板にc面ZnO薄膜を成長した。rfホロカソードジェトタイプのプラズマ生成部で生成された水素ラジカルは、原料であるジエチルジンクを低温で分解するために用いた。この方法を用いて、基板温度300℃でa面サファイア上にc軸配向したZnO薄膜を作製した。また、ラジカル原料である水素と酸素原料の流量比を変化させることにより、PLスペクトルの欠陥準位からの発光を低減できることがわかった。