抄録
本研究では,電流分布が強磁性ナノワイヤの磁壁移動に与える影響を調べた.電流分布は古典的な回路模型を用いて求め,V字形の切込みがパーマロイ磁性細線中の磁壁移動に及ぼす影響をマイクロマグネティックシミュレーションにより解析した.細線の端部にV字形の切込みがあるとき,切込み部周辺の電流密度が最も高くなり,磁壁移動に影響を及ぼすことがわかった.切込みサイズが大きくなると,磁壁駆動の閾値電流密度は増加した.電流が閾値電流以下の場合,切込みの周りで磁壁は振動することがわかった.切込みサイズが大きくなるにつれて,磁壁振動スペクトルから得られる固有周波数は高くなる.一方,固有振動は電流密度にほとんど依存しないことがわかった.
