抄録
高周波マグネトロンスパッタリング法によりSi添加AlN:Eu青色蛍光体薄膜を作製した。金属Alに添加物粉末の焼結体を埋め込んだターゲットを用いることによりSi、Eu濃度の制御を行なった。薄膜は、Eu^<2+>イオンに起因する450nm付近にピークを持つ青色のPL発光を示した。CIE色度座標は(0.169,0.130)である。Si添加効果を調べるために薄膜中のSi濃度を変化させたところ、薄膜中に添加したSiは発光強度および青色純度を高めるのに重要な役割を持っていることがわかった。絶縁層にBaTa_2O_6を用いた二重絶縁構造のEL素子を作製したが,発光は微弱であった。
