直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl_2S_4:Eu EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)

抄録

直流反応性スパッタリング法を用いて、BaAl_2S_4:Eu薄膜の作製を行った。導入ガスとしてArおよびH_2Sからなる混合ガスを使用した。混合ガス中のH_2S流量比率を2%、スパッタリング時の基板温度400℃、熱処理温度790℃の条件の時、最も良質なBaAl_2S_4薄膜が得られた。この薄膜を発光層とし、二重絶縁構造のEL素子を作製した。1kHz正弦波駆動においての輝度は14.44cd/m^2であった。さらに、ZnSバッファ層を挿入すると輝度が向上した。