抄録
我々は、低い臨界スイッチング電流を示す、Fe-rich組成CoFeBをフリー層に有するトンネル磁気接合素子を用い、スピントルク発振の臨界電流の低減、および発振出力の向上を目指した。膜面垂直磁場においてスピントルク発振を誘起することで、低バイアス領域において面外発振を示唆する明確なブルーシフトを観測した。また、Fe-rich組成CoFeBをフリー層に用いることにより、磁化が歳差運動をした際のフリー層をピン層の相対角度の変化を大きくすることができ、最大で175nWの発振出力を観測することに成功した。
