ゲート絶縁膜/Si界面の原子オーダー平坦化によるランダムテレグラフノイズ低減効果(高機能イメージセンシングとその応用)

黒田 理人; 小原 俊樹; 後藤 哲也; 赤川 直也; 木本 大幾; 寺本 章伸; 須川 成利

doi:10.11485/itetr.39.17.0_35

セッションID: IST2015-33

DOI https://doi.org/10.11485/itetr.39.17.0_35

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ゲート絶縁膜/Si界面の原子オーダー平坦化によるランダムテレグラフノイズ低減効果(高機能イメージセンシングとその応用)

黒田理人, 小原俊樹, 後藤哲也, 赤川直也, 木本大幾, 寺本章伸, 須川成利

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キーワード: ランダムテレグラフノイズ, 大規模アレイテスト回路, ゲート絶縁膜, Si界面, 平坦化

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抄録

ゲート絶縁膜/Si界面の原子オーダー平坦化プロセス技術をシャロートレンチアイソレーション(STI)素子分離を有する0.22μm CMOSテクノロジーに導入した.作製した大規模アレイテスト回路を用いて100万個を超えるトランジスタの測定を行い,ランダムテレグラフノイズ(RTN)の低減を確認した.本稿では明らかになった原子オーダー平坦化によるRTNの低減効果について報告する.

責任著者(Corresponding author)

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