画素毎の接続を用いた画素内に横型オーバーフロー蓄積容量およびAD変換器を有する露光時間途切れのないグローバルシャッタ積層型CMOSイメージセンサ

黒田 理人; 須郷 秀武; 若嶋 駿一; 須川 成利

doi:10.11485/itetr.40.32.0_11

40.32 情報センシング

セッションID: IST2016-44

DOI https://doi.org/10.11485/itetr.40.32.0_11

会議情報

主催: 情報センシング

会議名: 情報センシング

開催日: 2016/09/26

画素毎の接続を用いた画素内に横型オーバーフロー蓄積容量およびAD変換器を有する露光時間途切れのないグローバルシャッタ積層型CMOSイメージセンサ

*黒田理人, 須郷秀武, 若嶋駿一, 須川成利

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キーワード: グローバルシャッタ, CMOSイメージセンサ, 時間開口率, 画素毎接続, 3次元積層型

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抄録

画素毎の接続を用いた画素内に横型オーバーフロー蓄積容量（ LOFIC）および 12ビットシングルスロープ型 AD変換器を有する露光時間途切れのないグローバルシャッタ積層型 CMOSイメージセンサについて報告する． 45nmノード 1P4M CMOSイメージセンサテクノロジをフォトダイオード基板に， 65nmノード 1P5M CMOSテクノロジを ASIC基板に適用し， 6.6μmピッチで VGAサイズの LOFICを有するグローバルシャッタモードと，1.65μmピッチで画素数 4.9Mの高精細ローリングシャッタモードを実装したプロトタイプチップの設計・試作および測定を行ったので，その内容について論じる．

責任著者(Corresponding author)

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