次世代3Dウエハ接合技術のための高精度アライメントプロセス

抄録

歪みのある CMOSウエハの接合に適切な高精度アライメントプロセスを提案する。ここで提案するプロセスは， １）歪んだウエハの矯正，２）多点計測によるグローバルアライメント（ Enhanced Global Alignment, EGA），３）高い位置決め精度を維持したウエハ同士の接触，４）仮合わせ精度を維持するクランプ，の 4つのプロセスで構成される。アライメント精度の計測には我々が開発した IR計測ツールを用いた。本プロセスにより 100nm以下の精度のアライメントを実現した。