プラズマCVDシリコン成膜における反応動力学シミュレーション

抄録

本論文は薄膜微結晶シリコン成長に関するマルチスケールなモデリングについて述べる。原子レベルの反応速度解析には第一原理計算を適用した。次に、得られた反応速度を用いてダイナミックモンテカルロ法により、Si(100)面における反応動力学シミュレーションを行った。最後に、110優先配向を持つ微結晶Si成長シミュレーションを実施した。薄膜微結晶Si成長シミュレーションの結果は、実験結果と良く一致することを確認した。