抄録
透明導電膜材料として現在主流のインジウムスズ酸化物薄膜（ITO）の代替材料として、優れた光学的・電気的特性を持つ金属添加酸化亜鉛（ZnO）薄膜が近年注目されている。ZnO系薄膜によるITO代替を実現するためには、成膜過程を理解し、成膜プロセスを確立することが重要である。本研究では、ZnOにアルミニウム（Al）を添加したAZO薄膜の成膜プロセスの理解と制御を目的として、誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma : ICP）支援スパッタ装置において、ホローカソード（HCD）ランプを用いて、ターゲット放電電力とICP-RF電力を変化させた場合のプラズマ中の基底状態Zn原子，Al原子密度の吸収分光測定を行ったので、その結果を報告する。
