電気関係学会九州支部連合大会講演論文集
平成22年度電気関係学会九州支部連合大会（第63回連合大会）講演論文集
セッションID: 06-2P-12
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主催: 電気関係学会九州支部連合会

MOVPE法によるGaAs基板上ZnTeエピタキシャル成長膜のバッファー層効果
灘 真輝, 御厨 雄大, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
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キーワード: 半導体・電子デバイス
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抄録
ZnTeは純緑色のLEDやLD，太陽電池，光導波管のような光電子デバイスへの応用が期待されている．GaAsはその優れた特性から基板として電子光学の工業用途としての大きな役割を果たしているために，GaAs基板上のZnTeエピタキシャル成長は非常に注目されている．本研究では，有機金属気相成長(MOVPE)法を用い，GaAs基板上に低温ZnTeバッファー層を導入したZnTeエピタキシャル成長膜の成長を行い，ZnTeエピタキシャル成長膜の結晶性，表面粗さのZnTeバッファー層成長時の基板温度依存性について評価し最適条件を模索した．
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© 2010 電気関係学会九州支部連合大会委員会
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