PドープZnMgTeエピ膜のフォトルミネッセンスに及ぼすアニール時の温度、時間、雰囲気ガスの効果

抄録

Ｚｎ1-ｘＭｇｘＴｅは，緑～青色の発光材料として期待される混晶半導体である．これまで，有機金属気相エピタキシャル成長法によりＰドープのｐ型ＺｎＴｅやｐ型Ｚｎ1-ｘＭｇｘＴｅのエピ膜を作製し，物性評価を行ってきた．ＰドープＺｎＴｅでは成長後のアニール処理の系統的な実験によりエピ膜のフォトルミネッセンス特性が改善されることが明らかにされている．一方，ｐ型Ｚｎ1-ｘＭｇｘＴｅについては，アニ－ルによってフォトルミネッセンス特性が変わることが見いだされたが，系統的に調べた研究例はない．そこで，本研究では、フォトルミネッセンス特性に及ぼすアニール時の温度，時間，雰囲気ガスの効果を明らかにすることを目的とする．