ＰドープＺｎ_１－ｘＭｇ_ｘＴｅバルク結晶の電気的特性の測定温度依存性、ラマンスペクトルのＭｇ組成依存性

抄録

Ｚｎ_１－ｘＭｇ_ｘＴｅ（ＺｎＭｇＴｅ）はバンドギャップが２．２６ｅＶ（ｘ＝０）から３．２ｅＶ（ｘ＝１）まで変わる直接遷移型半導体であり、ＺｎＴｅ系純緑色ＬＥＤのキャリア閉じ込め材料として期待されるが、基礎物性に関するデ－タは少ない。そこで、我々はこれまでブリッジマン法によりＰド－プｐ型ＺｎＭｇＴｅバルク結晶を作製し、バンドギャップ、格子定数及びフォトルミネッセンススペクトルのＭｇ組成依存性などを明らかにしてきた。ＺｎＭｇＴｅに関して電気的特性やラマンスペクトルのＭｇ組成依存性などのデータが少ないので、本研究では更なる基礎物性の解明を目指し、これらのデ－タの獲得を目的とした。