Cu2ZnSnSe4薄膜におけるCu2Se相の選択エッチングに関する研究

末石 竜也; 田中 徹; 斉藤 勝彦; 郭 其新; 西尾 光弘; ユ キンマン; ワルキエウィッツ ラデック

doi:10.11527/jceeek.2011.0_115

平成23年度電気関係学会九州支部連合大会（第64回連合大会）講演論文集

セッションID: 13-1A-07

DOI https://doi.org/10.11527/jceeek.2011.0_115

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主催: 電気関係学会九州支部連合大会委員会

Cu₂ZnSnSe₄薄膜におけるCu₂Se相の選択エッチングに関する研究

末石竜也, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘, ユキンマン, ワルキエウィッツラデック

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キーワード: 半導体・電子デバイス, 光および量子エレクトロニクス, 電気電子材料

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抄録

地球上に豊富に存在する元素で構成されるCu₂ZnSnSe₄(CZTSe)は，約1eVの直接遷移型のバンドギャップを有することから，低コスト薄膜太陽電池への応用が期待されている．これまで我々は，本材料の基礎物性の組成依存性を明らかにすることを目的に多源蒸着法によるCZTSe薄膜の作製を進めてきたが，化学両論的組成を含む広い組成範囲で，非常に高い正孔濃度を示した．ラマン散乱分析の結果，この原因は低抵抗なp型伝導を示すCu₂Se相の混在であることが分かった．そこで本研究では，薄膜中のCu₂Seを選択的に取り除き，太陽電池に応用可能なCZTSe薄膜を得ることを目的とした．

責任著者(Corresponding author)

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