MOVPE法によって成長されたPドープZnMgTeエピ膜の電気的性質に及ぼすアニール時の温度、時間、雰囲気ガスの効果

抄録

Ｚｎ_1-ｘＭｇ_ｘＴｅ（ＺｎＭｇＴｅ）は、緑～青色の発光材料として期待される半導体である。これまで、有機金属気相エピ成長法によりＰドープのｐ型ＺｎＴｅやｐ型ＺｎＭｇＴｅのエピ膜を作製し、物性評価を行ってきた。ＰドープＺｎＴｅでは成長後のアニール処理によりエピ膜の電気的性質の改善が見いだされたので、アニ－ル時の温度や時間に対する電気的性質の効果を明らかにしてきた。ＰドープＺｎＭｇＴｅについても同様な効果が期待できるが、詳細は分かっていない。そこで、本研究では、ＰドープＺｎＭｇＴｅエピ膜の電気的性質に及ぼすアニール温度、時間、雰囲気ガスの効果を明らかにすることを目的とする。