透明導電膜を用いたZnTe太陽電池の作製と評価

抄録

ZnTeは直接遷移型のバンドギャップが2.26eVを有しており、緑色発光素子、太陽電池等への応用が期待されている。しかし、単一接合セルとしは、このバンドギャップは大きすぎること、n型伝導制御が困難であったことにより太陽電池への応用例はない。近年、ZnTe系高不整合材料による中間バンド太陽電池実現の可能性が示されたことで、そのベースとなるZnTe太陽電池の、基盤技術を確立することが重要となっている。本研究では、透明導電膜を用いた様々なZnTe太陽電池を作成し、特性を評価することで、ZnTe太陽電池の性能向上を目指した。