層状半導体CuFeTe2単結晶の作製条件と酸素ガス応答

神崎 雅俊; 竹之下 翔吾; 栗焼 久夫; 都甲 潔

doi:10.11527/jceeek.2011.0_177

平成23年度電気関係学会九州支部連合大会（第64回連合大会）講演論文集

セッションID: 05-1P-06

DOI https://doi.org/10.11527/jceeek.2011.0_177

会議情報

主催: 電気関係学会九州支部連合大会委員会

層状半導体CuFeTe₂単結晶の作製条件と酸素ガス応答

神崎雅俊, 竹之下翔吾, 栗焼久夫, 都甲潔

著者情報

キーワード: 電気電子材料, 半導体・電子デバイス, 光および量子エレクトロニクス

会議録・要旨集フリー

詳細

抄録

層状物質CuFeTe２は空気中の酸素分子を選択的にインターカレーションする特性があり、我々はこの層状物質を利用した新しいタイプの室温動作型酸素センサの開発を行っている。今回は作製条件の異なるCuFeTe2単結晶をブリッジマン法で作製し、それぞれの単結晶でX線回折測定、20%酸素ガス応答を測定した。その結果から考察を行い、最適な単結晶作製条件の検討を行った

責任著者(Corresponding author)

J-STAGEへの登録はこちら（無料）