高耐熱コンタクトプローブを用いたSiCショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性に関する基礎的検討

抄録

次世代パワーデバイス(SiC，GaN等)の開発において，従来のパッケージ技術では高電圧(1.2 kV以上)，高温(200℃以上)環境下で動作可能とすることは困難である。著者らはガスとセラミック基板の複合絶縁による高温高耐圧用の新しいパッケージ技術を提案し，さらにSiCの理論値である600℃まで測定可能な高温高耐圧パワーデバイス用小型評価試験装置の開発を目指している。本報では，コンタクトプローブを用いた室温～400℃まで測定可能なシステムの構築を行い，SiC-SBD(Schottky Barrier Diode)のI-V特性における温度依存性について評価したので報告する。