プラズマ気体温度計測用外部共振器型半導体レーザー装置の製作

抄録

スパッタ成膜においては、基板に入射する各粒子種の粒子束やエネルギー束の把握が非常に重要である。これまで我々は、Al添加ZnO（AZO）透明導電膜の誘導結合プラズマ（ICP）支援スパッタ成膜過程において、吸収分光法を用いた気相粒子密度計測やサーマルプローブを用いた基板入射熱流束計測を実施し、膜特性の変化との関係を調査してきた。しかし、ICP支援スパッタでは動作Arガスの加熱とそれによる成膜過程への影響が無視できないと考えられる。そこで、中性原子の速度分布関数を吸収分光計測する目的で、外部共振器型半導体レーザーを製作したので、その基本動作特性を報告する。